プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したIn<sub>1-x</sub>Ga<sub>X</sub>N、及びIn<sub>1-X</sub>Al<sub>X</sub>N混晶薄膜成長における混晶比制御の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-P5-23

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3183

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したIn_1-xGa_XN、及びIn_1-XAl_XN混晶薄膜成長における混晶比制御の検討

*淀徳男, 中川竜磨, 松下真也, 藤元章, 原田義之, 吉本護

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キーワード: 16a-P5-23, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（MBE, スパッタリング）, 窒化物半導体, 混晶, 不混和混晶

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