イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>/Si(001)構造の結晶性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 15p-P11-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3209

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性評価

*村上太陽, 有元圭介, 山中淳二, 原康祐, 山本千綾, 宇佐美徳隆, 星裕介, 有澤洋, 澤野憲太郎, 中川清和

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キーワード: 15p-P11-8, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, 結晶評価, 半導体

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