ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 14p-P9-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3238

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

ガスソースMBE法により作製した3C-SiC(111)自立基板の電気的評価

*中野由崇, 浅村英俊, 大内澄人, 生川満久, 稲垣徹, 川村啓介

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キーワード: 14p-P9-2, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 物性評価, 3C-SiC, 自立基板, 欠陥準位

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