ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(000-1)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第77回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 16a-C302-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.2.0_3289

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 77

開催地: 朱鷺メッセ

開催日: 2016/09/13 - 2016/09/16

ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(000-1)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較

*鹿児山陽平, 岡本光央, 吉岡裕典, 原田信介, 山崎隆浩, 大野隆央, 梅田享英

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キーワード: 16a-C302-5, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, 絶縁膜／MOS構造, 4H-SiC, MOSFET, 界面欠陥

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