p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 15p-422-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1153

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

p-GaInAsPベース層バンドギャップ低減による1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの電流増幅率の向上

*吉冨翔一, 只野翔太郎, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久

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キーワード: 15p-422-14, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, 半導体レーザ

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