直接貼付けInP/Si 基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 15p-P2-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1212

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

直接貼付けInP/Si 基板上レーザ構造における電圧電流特性のアニール温度依存性

*早坂夏樹, 西山哲央, 鎌田直樹, 大貫雄也, 韓旭, ペリヤナヤガムガンディ　カッラサン, 相川政輝, 内田和希, 杉山滉一

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キーワード: 15p-P2-13, 光・フォトニクス, シリコンフォトニクス, 発光デバイス，レーザー, InP, 直接貼付け, レーザダイオード

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