元素置換サイト設計による室温マルチフェロイックGaFeO<sub>3</sub>型酸化物薄膜の磁気誘電特性制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-411-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_1290

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

元素置換サイト設計による室温マルチフェロイックGaFeO₃型酸化物薄膜の磁気誘電特性制御

*片山司, 安井伸太郎, 濵嵜容丞, 越阪部拓也, 伊藤満

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キーワード: 17a-411-6, 薄膜・表面, 強誘電体薄膜, マルチフェイロック薄膜, マルチフェロイック, 酸化物薄膜, パルスレーザー堆積法

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