ヘテロ構造リフトオフ(HELLO)法による極薄GeOI 構造

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 16p-412-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3048

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

ヘテロ構造リフトオフ(HELLO)法による極薄GeOI 構造

*前田辰郎, 張文馨, 入沢寿史, 石井裕之, 服部浩之, 倉島優一, 高木秀樹, 内田紀行

著者情報

キーワード: 16p-412-12, 半導体, デバイス／集積化技術, 新材料デバイス（Si、Ge、III-V、酸化物チャネルなど）, ゲルマニウム

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top