InAs/GaAs(110)系におけるひずみ緩和と成長様式に関する理論検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第64回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 15a-313-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_3354

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 64

開催地: パシフィコ横浜

開催日: 2017/03/14 - 2017/03/17

InAs/GaAs(110)系におけるひずみ緩和と成長様式に関する理論検討

*伊藤智徳, 海田諒, 秋山亨, 中村浩次

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キーワード: 15a-313-11, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, 理論計算, 半導体, 成長様式

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