VO<sub>2</sub>/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 7p-A202-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1398

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

VO₂/原子層半導体ヘテロ構造を用いた急峻スロープトランジスタ

*山本真人, 神吉輝夫, 服部梓, 野内亮, 谷口尚, 渡邉賢司, 上野啓司, 田中秀和

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キーワード: 7p-A202-14, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 強相関電子系, 強相関酸化物, 二酸化バナジウム, 原子層半導体

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