圧力急増によるSiO<sub>2</sub>(001)/Si界面酸化促進とその律速過程の解明

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 8p-C14-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_1535

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

圧力急増によるSiO₂(001)/Si界面酸化促進とその律速過程の解明

*小川修一, 高桑雄二

著者情報

キーワード: 8p-C14-7, 薄膜・表面, 表面物理・真空, 界面, 熱酸化, シリコン, リアルタイム光電子分光

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top