RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ～ マルチフォノンモデルに基づく理論外挿 ～

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-C11-7

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

RTNトラップの高電界下でのDefect Profiling ～マルチフォノンモデルに基づく理論外挿～

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