応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
The 78th JSAP Autumn Meeting 2017
セッションID: 7a-PB3-2
会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Effect of SiGe Layer Thickness in Starting Substrate on Electrical Properties of Ultrathin Body Ge-on-Insulator pMOSFET fabricated by Ge condensation
*KwangWon Jo, WuKang Kim, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
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キーワード: 7a-PB3-2, Ge condensation, GOI, Strain
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© 2017 The Japan Society of Applied Physics
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