Cu<sub>2</sub>Te層を利用した2段階近接昇華法によるCuGaTe<sub>2</sub>薄膜の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-A411-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3268

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

Cu₂Te層を利用した2段階近接昇華法によるCuGaTe₂薄膜の作製

*桜川陽平, 宇留野彩, 小林正和

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キーワード: 5p-A411-12, 結晶工学, II-VI族結晶および多元系結晶, 成長, カルコパイライト化合物, 近接昇華法

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