MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-C21-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3293

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

MBEによる(113)Bと(113)A GaAs基板上におけるGaAs/Ge/GaAsヘテロ構造の成長

*盧翔孟, 南康夫, 熊谷直人, 北田貴弘

著者情報

キーワード: 5p-C21-9, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎, MBE, 分子線エピタキシー, ヘテロ構造, 副格子交換

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