溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-PB8-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3475

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

*古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹

著者情報

キーワード: 5p-PB8-6, 結晶工学, IV族系化合物（SiC）, デバイス（その他）, 炭化硅素, 溶液成長, 酸化膜

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top