電子線照射発光活性化PL法におけるSi中の炭素濃度計測の電子線照射量影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 6p-A503-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_3535

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

電子線照射発光活性化PL法におけるSi中の炭素濃度計測の電子線照射量影響

*中川聰子, 永井勇太

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キーワード: 6p-A503-1, 結晶工学, 結晶評価，不純物・結晶欠陥, 光学評価, フォトルミネッセンス, 炭素, 電子線照射

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