直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第78回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 5p-PB1-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.2.0_972

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 78

開催地: 福岡国際会議場

開催日: 2017/09/05 - 2017/09/08

直接貼付InP/Si基板上1.5μm帯GaInAsPレーザの電気特性

*韓旭, 鎌田直樹, 大貫雄也, べリヤナヤガムガンディカッラサン, 内田和希, 相川政輝, 杉山滉一, 早坂夏樹, 下村和彦

著者情報

キーワード: 5p-PB1-9, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, レーザ, 直接貼付, 電気特性

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2017 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top