1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける電気的応答を考慮した電圧変調大信号特性の解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-P3-22

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1276

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザにおける電気的応答を考慮した電圧変調大信号特性の解析

*後藤優征, 山中健太郎, 吉冨翔一, 西山伸彦, 荒井滋久

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キーワード: 17p-P3-22, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, 半導体レーザ, トランジスタレーザ

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