Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-C102-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_1527

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

Ta₂O₅を用いた抵抗変化素子特性の酸素組成および膜厚依存性

*宮谷俊輝, 西佑介, 木本恒暢

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キーワード: 18p-C102-16, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, 抵抗変化メモリ, 反応性スパッタリング

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