ハイライド気相成長法によるストライプマスクのオフ角がGaNのファセット形状および結晶品質に与える影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18a-E202-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_3556

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

ハイライド気相成長法によるストライプマスクのオフ角がGaNのファセット形状および結晶品質に与える影響

*金輝俊, 池内裕紀, 井本良, 岡田成仁, 只友一行

著者情報

キーワード: 18a-E202-6, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 成長（HVPE, OVPE）, GaN, ハイライド気相成長法, オフ角

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2018 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top