自然酸化AlGaOx最外殻とGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたGaAsナノワイヤパッシベーション構造の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第65回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17p-P1-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.1.0_390

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 65

開催地: 早稲田大学・ベルサール高田馬場

開催日: 2018/03/17 - 2018/03/20

自然酸化AlGaOx最外殻とGaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いたGaAsナノワイヤパッシベーション構造の作製

*津田眞, 石川史太郎

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キーワード: 17p-P1-11, 応用物理学一般, 応用物理一般・学際領域, その他, 半導体, ナノワイヤ, GaAs

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