ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21p-232-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1390

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価

*木村豊, 金聖祐, 桝谷聡士, 大山幸希, 池尻憲次朗, 嘉数誠

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キーワード: 21p-232-3, 薄膜・表面, カーボン系薄膜, ダイヤモンド薄膜, ダイヤモンド, 化学機械平坦化

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