擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-234B-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1536

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

擬似ナノ液膜を介した気相エピタキシー法による SiC 薄膜成長

*山王堂尚輝, 大住亜朱香, 丸山伸伍, 松本祐司

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キーワード: 19p-234B-16, 薄膜・表面, 薄膜新材料, 新材料・新技術・評価手法など, パルスレーザー堆積, 半導体, SiC

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