GaN結晶のｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ成長方式におけるﾌﾟﾗｽﾞﾏ-基板間距離の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-438-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_1722

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

GaN結晶のｽﾊﾟｯﾀﾘﾝｸﾞ成長方式におけるﾌﾟﾗｽﾞﾏ-基板間距離の効果

*谷出敦, 河野元宏, 高辻茂, 堀越章, 中村昭平, 木瀬一夫, 灘原壮一, 西川正純, 江部明憲, 石川健治, 堀勝

著者情報

*谷出敦
SCREEN
名大院工
河野元宏
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名大院工
高辻茂
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堀越章
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名大院工
中村昭平
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木瀬一夫
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灘原壮一
SCREEN
西川正純
イー・エム・ディー
江部明憲
イー・エム・ディー
石川健治
名大院工
堀勝
名大院工

キーワード: 20a-438-2, プラズマエレクトロニクス, プラズマ成膜・エッチング・表面処理, CVD・PVD・スパッタリング, ガリウムナイトライド, 成膜, スパッタリング

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