GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-CE-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_26

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

GaNデバイスのキラーとなる転位欠陥とその低減法

*田中敦之, 宇佐美茂佳, 福島颯太, 安藤悠人, 久志本真希, 出来真斗, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

著者情報

キーワード: 20p-CE-2, 特別シンポジウム, GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学, 窒化ガリウム, 転位, パワーデバイス

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2018 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top