多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC<sup>＋</sup>イオン注入法によるSiCナノドットの形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-233-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_2889

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC^＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成

*金澤力斗, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

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キーワード: 19a-233-5, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術, ナノプロセス, 半導体, SiC, 量子ドット

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