応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第79回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 18p-PA6-16
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

SiO2/p-GaN MOSキャパシタのCV特性
*松山 秀昭, 上野 勝典, 高島 信也, 田中 亮, 福島 悠太, 江戸 雅晴, 中川 清和
著者情報
キーワード: 18p-PA6-16, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, 半導体, p-GaN, CV特性
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