GaN系パワーデバイス用ゲート絶縁膜技術

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-CE-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_32

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

GaN系パワーデバイス用ゲート絶縁膜技術

*渡部平司, 山田高寛, 野崎幹人, 細井卓治, 志村考功

著者情報

キーワード: 20p-CE-8, 特別シンポジウム, GaNのエピタキシャル成長とデバイス科学, GaN, パワーデバイス, ゲート絶縁膜

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2018 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top