AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-146-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3259

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

AlGaN系材料に対するTMAHウェットエッチングのAlNモル分率依存性

*安江信次, 佐藤恒輔, 川瀬雄太, 池田隼也, 櫻木勇介, 岩山章, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇

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キーワード: 19a-146-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, プロセス, 半導体, ウェットエッチング

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