InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-146-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3330

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

InGaN高次結合ディープエッチDBRレーザの作製プロセスの検討

*楠本壮, 田附大貴, 池田和久, 上向井正裕, 片山竜二

著者情報

キーワード: 21a-146-1, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 光デバイス, 高次結合ディープエッチDBR, 単一モードレーザ, 窒化物半導体

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