表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 21a-146-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3332

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

表面活性化接合を用いた大面積GaN極性反転構造の作製

*小野寺卓也, 上向井正裕, 髙橋一矢, 岩谷素顕, 赤﨑勇, 林侑介, 三宅秀人, 久志本真希, 鄭惠貞, 本田善央, 天野浩, 片山竜二

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キーワード: 21a-146-3, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ナノ構造, 表面活性化接合, GaN

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