<i>β</i>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> MOSフォトダイオードの内部電界評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-224A-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3769

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

β-Ga₂O₃ MOSフォトダイオードの内部電界評価

*橋川誠, 富澤三世, 佐々木公平, 倉又朗人, 大石敏之, 大島孝仁

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キーワード: 19a-224A-3, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 透明導電膜, 酸化ガリウム

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