イオンプレーティングGZO薄膜をバッファ層に用いたZnO薄膜の大気圧CVD成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第79回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-PB8-22

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3804

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

イオンプレーティングGZO薄膜をバッファ層に用いたZnO薄膜の大気圧CVD成長

*寺迫智昭, 越智洋平, 宮田晃, 矢木正和, 野本淳一, 山本哲也

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キーワード: 19p-PB8-22, 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, 薄膜成長, 酸化亜鉛, バッファ層, 化学気相堆積法

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