A perverse transparent oxide semiconductor, La:BaSnO<sub>3</sub>

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

The 79th JSAP Autumn Meeting 2018

セッションID: 20p-234A-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2018.2.0_3824

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 79

開催地: 名古屋国際会議場

開催日: 2018/09/18 - 2018/09/21

A perverse transparent oxide semiconductor, La:BaSnO₃

*魏冕, サンチェラアナップ, 李浚赫, 金高韻, 陳亨秦, 馮斌, 幾原雄一, ジョヘジュン, 太田裕道

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キーワード: 20p-234A-8, Wide bandgap, Oxide semiconductor

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© 2018 The Japan Society of Applied Physics

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