帯電時の斜方晶･単斜晶HfO<sub>2</sub>の安定性：第一原理計算による検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 10p-W631-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2688

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

帯電時の斜方晶･単斜晶HfO₂の安定性：第一原理計算による検討

*白石悠人, 長澤立樹, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史

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キーワード: 10p-W631-6, 半導体, 絶縁膜技術, 理論／シミュレーション, HfO2, 強誘電体, 第一原理計算

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