Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11a-W934-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2757

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-

*小林弘人, 横川凌, 木下晃輔, 沼沢陽一郎, 小椋厚志, 西澤伸一, 更屋拓哉, 伊藤一夫, 高倉俊彦, 鈴木慎一, 福井宗利, 竹内潔, 平本俊郎

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キーワード: 11a-W934-10, 半導体, Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術, プロセス導入欠陥, キャリアライフタイム, IGBT

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