量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 9p-S221-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2778

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

量子効果の影響を考慮したGaAsSb/InGaAs Double-Gate Tunnel FETの検討

*野上直哉, 福田浩一, 宮本恭幸

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キーワード: 9p-S221-4, 半導体, デバイス／配線／集積化技術, 量子効果デバイス(SET、量子ドット、トンネル、スピンなど）, トンネルFET

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