応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第66回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 9a-M121-4
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学 大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

SiO2/GaN MOSデバイスに対するフォーミングガス熱処理の効果
*山田 高寛, 和田 悠平, 寺島 大貴, 野崎 幹人, 上野 勝典, 高島 信也, 山田 永, 高橋 言緒, 清水 三聡, 細井 卓治, 志村 考功, 渡部 平司
著者情報
キーワード: 9a-M121-4, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, フォーミングガスアニール, SiO2
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© 2019 公益社団法人 応用物理学会
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