応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第66回応用物理学会春季学術講演会
セッションID: 10a-M121-5
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学 大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性
*濱田 拓也, 向井 勇人, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三聡, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生
著者情報
キーワード: 10a-M121-5, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, III-V族半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, GaN, 選択成長, FinFET
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (365K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2019 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top