縦型AlGaN/GaNトレンチMOS-HEMTのDC特性: p-GaN層Mg添加量の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-PB3-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2907

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

縦型AlGaN/GaNトレンチMOS-HEMTのDC特性: p-GaN層Mg添加量の効果

*金谷彗杜, 米田直史, 山本暠勇, 葛原正明

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キーワード: 11p-PB3-13, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体電子デバイス・回路, 半導体, GaN, HEMT

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