GaN基板上MOVPE p-GaNの浅い準位の評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-PB3-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_2911

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

GaN基板上MOVPE p-GaNの浅い準位の評価

*吉田光, 小木曽達也, 徳田豊, 成田哲生, 冨田一義, 加地徹

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キーワード: 11p-PB3-17, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, p-GaN

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