表面活性化接合によるGaAs//InGaAs 2接合太陽電池の開発

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-W321-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3040

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

表面活性化接合によるGaAs//InGaAs 2接合太陽電池の開発

*渡辺健太郎, 福谷貴史, ソダーバンルハッサネット, 中野義昭, 杉山正和

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キーワード: 11p-W321-12, 半導体, 化合物太陽電池, III-V 族系太陽電池, 多接合太陽電池, 表面活性化接合, III-V族化合物半導体

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