<i>p</i><i><sup>+</sup></i>-WSe<sub>2</sub>/MoS<sub>2</sub> TFETにおけるMoS<sub>2</sub>厚さによるバンドアライメント制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第66回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 11p-W521-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.1.0_3600

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 66

開催地: 東京工業大学大岡山キャンパス

開催日: 2019/03/09 - 2019/03/12

p⁺-WSe₂/MoS₂ TFETにおけるMoS₂厚さによるバンドアライメント制御

*中村圭吾, 永村直佳, 上野啓司, 谷口尚, 渡邊健司, 長汐晃輔

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キーワード: 11p-W521-3, ナノカーボン, 層状物質, デバイス応用, トンネルFET

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