分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20p-E204-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1165

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製

*石川裕介, 荒川亮太, 神林大介, 成塚重弥, 今井大地, 宮嶋孝夫

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キーワード: 20p-E204-2, 光・フォトニクス, 半導体光デバイス, 半導体レーザー，発光ダイオード, 半導体レーザ, ガリウムひ素, バイセクション

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