液体原料（GaCp*）を用いた高純度Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の原子層堆積

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-E311-13

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_1520

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

液体原料（GaCp*）を用いた高純度Ga₂O₃薄膜の原子層堆積

*水谷文一, 東慎太郎, 井上万里, 生田目俊秀

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キーワード: 19p-E311-13, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, ワイドギャップ系、透明材料, 原子層堆積, 酸化ガリウム

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