MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18a-E303-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2972

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

MOS界面におけるレーザーパルス励起THz波放射機構の考察 - 表面電場とフォトデンバー効果の分離 -

*西村辰彦, 中西英俊, 川山巌, 斗内政吉, 細井卓治, 志村孝功, 渡部平司

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キーワード: 18a-E303-6, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 界面, MOS界面, THz波, 表面電場

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