TID影響下におけるMOSFETモデルの検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第80回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18p-E303-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2019.2.0_2986

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

TID影響下におけるMOSFETモデルの検討

*大島佑太, 安藤幹, 吉田僚一郎, 平川顕二, 岩瀬正幸, 小笠原宗博, 依田孝, 石原昇, 伊藤浩之

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キーワード: 18p-E303-8, 半導体, Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション, 回路シミュレーション, TID効果, MOSFET, シミュレーションモデル

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