第80回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 18p-N302-11
会議情報
主催: 公益社団法人 応用物理学会
会議名: 応用物理学会秋季学術講演会
回次: 80
開催地: 北海道大学 札幌キャンパス
開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21
N極性GaN HEMT作製プロセスにおけるプラズマダメージの低減
キーワード:
18p-N302-11,
半導体,
化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術,
窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価,
N極性 GaN HEMT,
プラズマダメージ,
アニール
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