応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第80回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 21a-E301-8
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 80

開催地: 北海道大学 札幌キャンパス

開催日: 2019/09/18 - 2019/09/21

GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討
*高山 研, 向井 勇人, 濱田 拓也, 高橋 言緒, 井手 利英, 清水 三総, 星井 拓也, 角嶋 邦之, 若林 整, 岩井 洋, 筒井 一生
著者情報
キーワード: 21a-E301-8, 半導体, 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術, 窒化物半導体各種デバイス，プロセス技術・評価, FinFET, 選択成長法, TLM測定
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© 2019 公益社団法人 応用物理学会
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